casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP25636B-200B3LI
codice articolo del costruttore | IS61NLP25636B-200B3LI |
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Numero di parte futuro | FT-IS61NLP25636B-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636B-200B3LI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636B-200B3LI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP25636B-200B3LI-FT |
SM671PEA-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PEB-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PEB-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PEC-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PEC-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PED-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PED-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PEE-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXA-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXB-AD
Silicon Motion, Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation