casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP25636A-200B3LI
codice articolo del costruttore | IS61NLP25636A-200B3LI |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IS61NLP25636A-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636A-200B3LI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B3LI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP25636A-200B3LI-FT |
71V67703S75BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S75BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel