casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP25636A-200B3I
codice articolo del costruttore | IS61NLP25636A-200B3I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IS61NLP25636A-200B3I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636A-200B3I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B3I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP25636A-200B3I-FT |
IDT71V35761S183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation