casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP25636A-200B2LI
codice articolo del costruttore | IS61NLP25636A-200B2LI |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IS61NLP25636A-200B2LI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636A-200B2LI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B2LI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP25636A-200B2LI-FT |
IDT71V3557SA85BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel