casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP25636A-200B2I
codice articolo del costruttore | IS61NLP25636A-200B2I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IS61NLP25636A-200B2I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636A-200B2I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 119-BBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 119-PBGA (14x22) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B2I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP25636A-200B2I-FT |
IDT71V3557SA85BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel