casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP12836EC-200B3LI
codice articolo del costruttore | IS61NLP12836EC-200B3LI |
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Numero di parte futuro | FT-IS61NLP12836EC-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP12836EC-200B3LI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP12836EC-200B3LI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP12836EC-200B3LI-FT |
71V67603S166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S166BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67603S166BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S75BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S75BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc