casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61DDB22M18-250M3L
codice articolo del costruttore | IS61DDB22M18-250M3L |
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Numero di parte futuro | FT-IS61DDB22M18-250M3L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61DDB22M18-250M3L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.71V ~ 1.89V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB22M18-250M3L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61DDB22M18-250M3L-FT |
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV010-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV040-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV512-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49FL004T-33VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV010-70JCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel