casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61DDB21M36C-300M3L
codice articolo del costruttore | IS61DDB21M36C-300M3L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IS61DDB21M36C-300M3L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61DDB21M36C-300M3L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 8.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.71V ~ 1.89V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M36C-300M3L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61DDB21M36C-300M3L-FT |
IS66WVE4M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV010-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV040-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV512-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel