casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61DDB21M36C-300M3L
codice articolo del costruttore | IS61DDB21M36C-300M3L |
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Numero di parte futuro | FT-IS61DDB21M36C-300M3L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61DDB21M36C-300M3L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frequenza di clock | 300MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 8.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.71V ~ 1.89V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M36C-300M3L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61DDB21M36C-300M3L-FT |
IS66WVE4M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV010-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV040-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV512-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel