casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61DDB21M36-250M3
codice articolo del costruttore | IS61DDB21M36-250M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IS61DDB21M36-250M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61DDB21M36-250M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.71V ~ 1.89V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M36-250M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61DDB21M36-250M3-FT |
IS66WVE2M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16DBLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16EBLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel