casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS49RL36160-107BL
codice articolo del costruttore | IS49RL36160-107BL |
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Numero di parte futuro | FT-IS49RL36160-107BL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS49RL36160-107BL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.28V ~ 1.42V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS49RL36160-107BL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS49RL36160-107BL-FT |
IDT6116LA45SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116LA45SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116LA45SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel