casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS46DR81280B-3DBLA2
codice articolo del costruttore | IS46DR81280B-3DBLA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IS46DR81280B-3DBLA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS46DR81280B-3DBLA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-TWBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS46DR81280B-3DBLA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS46DR81280B-3DBLA2-FT |
HM216514TTI5SE
Renesas Electronics America
HM216514TTI5SEZ
Renesas Electronics America
HM28100TTI5SE
Renesas Electronics America
IDT70824L20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70824L25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70824L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70824S20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70824S25G
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70824S35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825L20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel