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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI

Name: IS43DR86400C-3DBI
Brand: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
SKU: IS43DR86400C-3DBI
Availability: InStock
Rating: 4.8 (446 reviews)

Numero parte MFG: IS43DR86400C-3DBI

quantità disponibile: 84050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Breve descrizione: - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Memoria

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IS43DR86400C-3DBI.pdf

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IS43DR86400C-3DBI specificazioni

codice articolo del costruttore	IS43DR86400C-3DBI
Numero di parte futuro	FT-IS43DR86400C-3DBI
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IS43DR86400C-3DBI Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria	512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock	333MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	15ns
Tempo di accesso	450ps
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	60-TWBGA (8x10.5)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IS43DR86400C-3DBI Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IS43DR86400C-3DBI-FT

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