casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS43DR16640C-3DBI
codice articolo del costruttore | IS43DR16640C-3DBI |
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Numero di parte futuro | FT-IS43DR16640C-3DBI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16640C-3DBI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-TFBGA (12.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640C-3DBI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS43DR16640C-3DBI-FT |
IS43DR16320E-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46DR16128C-3DBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46DR16128C-3DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel