casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS43DR16640B-3DBI
codice articolo del costruttore | IS43DR16640B-3DBI |
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Numero di parte futuro | FT-IS43DR16640B-3DBI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16640B-3DBI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-TWBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-3DBI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS43DR16640B-3DBI-FT |
IS43DR16640C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320C-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16160B-37CBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16128C-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel