casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS43DR16640B-25EBL
codice articolo del costruttore | IS43DR16640B-25EBL |
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Numero di parte futuro | FT-IS43DR16640B-25EBL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16640B-25EBL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-TWBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-25EBL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS43DR16640B-25EBL-FT |
EMFM432A1PH-DV-F-D
Micron Technology Inc.
EMFM432A1PH-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
EMFP112A3PB-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
F320BJHEPTTL60
Sharp Microelectronics
F320BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
F800BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
FM27C256Q120
ON Semiconductor
FM27C256Q150
ON Semiconductor
FM27C256QE150
ON Semiconductor
FM27C256V120
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel