casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLU3714Z
codice articolo del costruttore | IRLU3714Z |
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Numero di parte futuro | FT-IRLU3714Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLU3714Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLU3714Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLU3714Z-FT |
IRF6609TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6609TRPBF
Infineon Technologies
IRF6613TR1
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IRF6613TR1PBF
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IRF6614
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IRF6614TR1PBF
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IRF6617TR1
Infineon Technologies
IRF6617TR1PBF
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel