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Infineon Technologies IRLR4343-701PBF

Name: IRLR4343-701PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR4343-701PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (416 reviews)

Numero parte MFG: IRLR4343-701PBF

quantità disponibile: 79220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLR4343-701PBF.pdf

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IRLR4343-701PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLR4343-701PBF
Numero di parte futuro	FT-IRLR4343-701PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLR4343-701PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	79W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK (LF701)
Pacchetto / caso	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR4343-701PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLR4343-701PBF-FT

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