casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR3714Z
codice articolo del costruttore | IRLR3714Z |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR3714Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR3714Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR3714Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR3714Z-FT |
IRFR7746PBF
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
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LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation