casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLR014NTRL
codice articolo del costruttore | IRLR014NTRL |
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Numero di parte futuro | FT-IRLR014NTRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLR014NTRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR014NTRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLR014NTRL-FT |
IRFR3711TRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711Z
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IRFR3711ZTRRPBF
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XC6SLX150-3FG676I
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XC3S1400A-5FG484C
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
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LFEC10E-3F256C
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EPF10K10QC208-3N
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