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Infineon Technologies IRLML6402GTRPBF

Name: IRLML6402GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML6402GTRPBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (115 reviews)

Numero parte MFG: IRLML6402GTRPBF

quantità disponibile: 34930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRLML6402GTRPBF.pdf

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IRLML6402GTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRLML6402GTRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRLML6402GTRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLML6402GTRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Micro3™/SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6402GTRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRLML6402GTRPBF-FT

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