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Infineon Technologies IRLML6401TR

Numero parte MFG
IRLML6401TR
quantità disponibile
46270 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLML6401TR specificazioni

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Numero di parte futuro FT-IRLML6401TR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLML6401TR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6401TR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLML6401TR-FT

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