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Infineon Technologies IRLML6302TR

Numero parte MFG
IRLML6302TR
quantità disponibile
67540 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLML6302TR specificazioni

codice articolo del costruttore IRLML6302TR
Numero di parte futuro FT-IRLML6302TR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLML6302TR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 780mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.45V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 97pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro3™/SOT-23
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6302TR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLML6302TR-FT

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