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ON Semiconductor IRLM120ATF

Numero parte MFG
IRLM120ATF
quantità disponibile
86410 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.203648
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRLM120ATF specificazioni

codice articolo del costruttore IRLM120ATF
Numero di parte futuro FT-IRLM120ATF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRLM120ATF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLM120ATF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRLM120ATF-FT

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