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Infineon Technologies IRL6372PBF

Name: IRL6372PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL6372PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (283 reviews)

Numero parte MFG: IRL6372PBF

quantità disponibile: 34510 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRL6372PBF.pdf

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IRL6372PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRL6372PBF
Numero di parte futuro	FT-IRL6372PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRL6372PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6372PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRL6372PBF-FT

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