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Infineon Technologies IRL6372PBF
- Numero parte MFG
- IRL6372PBF
- quantità disponibile
- 34510 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IRL6372PBF.pdf
IRL6372PBF specificazioni
| codice articolo del costruttore | IRL6372PBF |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IRL6372PBF |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRL6372PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRL6372PBF Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IRL6372PBF-FT |
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