codice articolo del costruttore | IRL610A |
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Numero di parte futuro | FT-IRL610A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRL610A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL610A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL610A-FT |
FQP5P20
ON Semiconductor
FQP630
ON Semiconductor
FQP630TSTU
ON Semiconductor
FQP6N15
ON Semiconductor
FQP6N25
ON Semiconductor
FQP6N50
ON Semiconductor
FQP6N50C
ON Semiconductor
FQP6N60
ON Semiconductor
FQP6N60C_F080
ON Semiconductor
FQP6N70
ON Semiconductor
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel