casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL510STRLPBF
codice articolo del costruttore | IRL510STRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRL510STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRL510STRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 3.4A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL510STRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL510STRLPBF-FT |
SIHF7N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHF7N60E-GE3
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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