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Infineon Technologies IRL3502S

Name: IRL3502S
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL3502S
Availability: InStock
Rating: 4.7 (177 reviews)

Numero parte MFG: IRL3502S

quantità disponibile: 21360 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRL3502S.pdf

IRL3502S specificazioni

codice articolo del costruttore	IRL3502S
Numero di parte futuro	FT-IRL3502S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRL3502S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 64A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4700pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL3502S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRL3502S-FT

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