casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRGPC50UD2
codice articolo del costruttore | IRGPC50UD2 |
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Numero di parte futuro | FT-IRGPC50UD2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRGPC50UD2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 27A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | - |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRGPC50UD2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRGPC50UD2-FT |
IRG4PC30KPBF
Infineon Technologies
IRG4PC30S
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IRG4PC40FD
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IRG4PC40KDE206P
Infineon Technologies
A54SX32A-1TQG144M
Microsemi Corporation
LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
Intel
EP3C16E144C7
Intel
EP4S100G3F45I3
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EP4SE530H40C2
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXMA4K3F35I3N
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