casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRGP6650D-EPBF
codice articolo del costruttore | IRGP6650D-EPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRGP6650D-EPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRGP6650D-EPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 35A |
Potenza - Max | 306W |
Cambiare energia | 300µJ (on), 630µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 75nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 40ns/105ns |
Condizione di test | 400V, 35A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRGP6650D-EPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRGP6650D-EPBF-FT |
SGD02N120BUMA1
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SGD02N60BUMA1
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XC2S50-6PQG208C
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XC6SLX45-2FGG484I
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A42MX16-3PQG208I
Microsemi Corporation
XC7A200T-2SBG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
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EP20K400EBC652-3
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