casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRGP4262D-EPBF
codice articolo del costruttore | IRGP4262D-EPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRGP4262D-EPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRGP4262D-EPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 96A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 24A |
Potenza - Max | 250W |
Cambiare energia | 520µJ (on), 240µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 70nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 24ns/73ns |
Condizione di test | 400V, 24A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 170ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRGP4262D-EPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRGP4262D-EPBF-FT |
IHD10N60RA
Infineon Technologies
IKD03N60RF
Infineon Technologies
IKD03N60RFAATMA1
Infineon Technologies
IKD04N60R
Infineon Technologies
IKD04N60RAATMA1
Infineon Technologies
IKD04N60RF
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IKD04N60RFAATMA1
Infineon Technologies
IKD06N60R
Infineon Technologies
IKD06N60RAATMA1
Infineon Technologies
IKD06N60RAATMA2
Infineon Technologies
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC2V1000-5BGG575C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289
Microsemi Corporation
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
A40MX02-FPQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4N
Intel