casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRG7PH50U-EP
codice articolo del costruttore | IRG7PH50U-EP |
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Numero di parte futuro | FT-IRG7PH50U-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRG7PH50U-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 140A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
Potenza - Max | 556W |
Cambiare energia | 4.6mJ (on), 3.2mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 440nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/430ns |
Condizione di test | 600V, 50A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG7PH50U-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRG7PH50U-EP-FT |
IXGQ90N33TC
IXYS
IXGQ90N33TCD1
IXYS
IXGQ96N30TBD1
IXYS
IXGQ96N30TCD1
IXYS
IXSQ20N60B2D1
IXYS
IXYH25N250CHV
IXYS
IXYH24N170C
IXYS
IXYP10N65C3D1M
IXYS
IKD15N60RFATMA1
Infineon Technologies
IGD06N60TATMA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
XC5VLX30-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29I1HG
Intel