casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IRG4PH50S-EPBF
codice articolo del costruttore | IRG4PH50S-EPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRG4PH50S-EPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRG4PH50S-EPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 57A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 114A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 167nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 32ns/845ns |
Condizione di test | 960V, 33A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG4PH50S-EPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRG4PH50S-EPBF-FT |
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