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Infineon Technologies IRFSL4510PBF

Name: IRFSL4510PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL4510PBF
Price: 0.892504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (779 reviews)

Numero parte MFG: IRFSL4510PBF

quantità disponibile: 84090 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.892504

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 61A TO262

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFSL4510PBF.pdf

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IRFSL4510PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFSL4510PBF
Numero di parte futuro	FT-IRFSL4510PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFSL4510PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	61A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3180pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL4510PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFSL4510PBF-FT

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