casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFSL3107PBF
codice articolo del costruttore | IRFSL3107PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRFSL3107PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFSL3107PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 140A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9370pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 370W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL3107PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFSL3107PBF-FT |
IPI80P04P405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P407AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P4L06AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPI90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPI90R800C3
Infineon Technologies
IRF1010EL
Infineon Technologies
IRF1010EZL
Infineon Technologies
IRF1010EZLPBF
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel