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Infineon Technologies IRFSL23N20D102P

Name: IRFSL23N20D102P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL23N20D102P
Availability: InStock
Rating: 4.6 (561 reviews)

Numero parte MFG: IRFSL23N20D102P

quantità disponibile: 90390 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFSL23N20D102P.pdf

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IRFSL23N20D102P specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFSL23N20D102P
Numero di parte futuro	FT-IRFSL23N20D102P
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFSL23N20D102P Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1960pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFSL23N20D102P Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFSL23N20D102P-FT

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