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Infineon Technologies IRFS7437PBF

Numero parte MFG
IRFS7437PBF
quantità disponibile
26540 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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IRFS7437PBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFS7437PBF
Numero di parte futuro FT-IRFS7437PBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®, StrongIRFET™
IRFS7437PBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7330pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS7437PBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFS7437PBF-FT

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