casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS644BYDTU_AS001
codice articolo del costruttore | IRFS644BYDTU_AS001 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS644BYDTU_AS001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFS644BYDTU_AS001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS644BYDTU_AS001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS644BYDTU_AS001-FT |
FQPF1N60T
ON Semiconductor
FQPF1P50
ON Semiconductor
FQPF27N25T
ON Semiconductor
FQPF28N15
ON Semiconductor
FQPF28N15T
ON Semiconductor
FQPF2N30
ON Semiconductor
FQPF2N40
ON Semiconductor
FQPF2N50
ON Semiconductor
FQPF2N60
ON Semiconductor
FQPF2N90
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel