casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS31N20DPBF
codice articolo del costruttore | IRFS31N20DPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS31N20DPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS31N20DPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS31N20DPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS31N20DPBF-FT |
IRF3710ZSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF3711S
Infineon Technologies
IRF3711SPBF
Infineon Technologies
IRF3711STRL
Infineon Technologies
IRF3711STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3711STRR
Infineon Technologies
IRF3711STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3711ZCS
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRL
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRLP
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation