casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFRC20PBF
codice articolo del costruttore | IRFRC20PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFRC20PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFRC20PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFRC20PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFRC20PBF-FT |
SIHA22N60EL-E3
Vishay Siliconix
SIHA30N60AEL-GE3
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SIHA17N80E-E3
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SIHA22N60AEL-GE3
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SIHA120N60E-GE3
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A54SX16A-2TQ144I
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XC3S400-4FG320I
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5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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