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Infineon Technologies IRFR9N20DTRL

Numero parte MFG
IRFR9N20DTRL
quantità disponibile
40610 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFR9N20DTRL specificazioni

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Numero di parte futuro FT-IRFR9N20DTRL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFR9N20DTRL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR9N20DTRL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFR9N20DTRL-FT

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