casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR9024NTRRPBF
codice articolo del costruttore | IRFR9024NTRRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR9024NTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR9024NTRRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR9024NTRRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR9024NTRRPBF-FT |
IRFR3709ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3710ZPBF
Infineon Technologies
IRFR3710ZTR
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRL
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRR
Infineon Technologies
IRFR3710ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711
Infineon Technologies
IRFR3711PBF
Infineon Technologies
IRFR3711TR
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel