casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR5410PBF
codice articolo del costruttore | IRFR5410PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFR5410PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR5410PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 66W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR5410PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR5410PBF-FT |
IRFR3704ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3704ZTRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3706
Infineon Technologies
IRFR3706CPBF
Infineon Technologies
IRFR3706CTRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3706CTRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3706PBF
Infineon Technologies
IRFR3706TR
Infineon Technologies
IRFR3706TRL
Infineon Technologies
IRFR3706TRLPBF
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel