casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFR3911TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFR3911TRPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRFR3911TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR3911TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR3911TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFR3911TRPBF-FT |
IRFR3411PBF
Infineon Technologies
IRFR3412PBF
Infineon Technologies
IRFR3412TRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3412TRPBF
Infineon Technologies
IRFR3412TRRPBF
Infineon Technologies
IRFR3418PBF
Infineon Technologies
IRFR3418TRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3418TRPBF
Infineon Technologies
IRFR3504PBF
Infineon Technologies
IRFR3504TRLPBF
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel