casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFP264PBF
codice articolo del costruttore | IRFP264PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFP264PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFP264PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 280W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP264PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFP264PBF-FT |
SUD50N06-09L-E3
Vishay Siliconix
SUD25N15-52-E3
Vishay Siliconix
SUD50P04-15-E3
Vishay Siliconix
SQD50P04-13L_GE3
Vishay Siliconix
SUD35N10-26P-E3
Vishay Siliconix
SIHD6N62E-GE3
Vishay Siliconix
SIHD240N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHD4N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHD9N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHFR1N60A-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel