casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFIB6N60A
codice articolo del costruttore | IRFIB6N60A |
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Numero di parte futuro | FT-IRFIB6N60A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFIB6N60A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFIB6N60A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFIB6N60A-FT |
2SK3745LS
ON Semiconductor
2SK3844(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4043LS
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2SK4085LS
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2SK4117LS
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XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
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XC7K325T-L2FBG900I
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LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
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10AX066N4F40I3LG
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