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Infineon Technologies IRFHS8242TRPBF

Name: IRFHS8242TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS8242TRPBF
Price: 0.153448 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (599 reviews)

Numero parte MFG: IRFHS8242TRPBF

quantità disponibile: 49700 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.153448

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFHS8242TRPBF.pdf

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IRFHS8242TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFHS8242TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFHS8242TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHS8242TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.9A (Ta), 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.4nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	653pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-PQFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS8242TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFHS8242TRPBF-FT

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