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Infineon Technologies IRFH8311TRPBF

Name: IRFH8311TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8311TRPBF
Price: 0.42212 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (533 reviews)

Numero parte MFG: IRFH8311TRPBF

quantità disponibile: 42990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.42212

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFH8311TRPBF.pdf

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IRFH8311TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFH8311TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFH8311TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFH8311TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Ta), 169A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4960pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 96W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-TQFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH8311TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFH8311TRPBF-FT

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