casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFD310PBF
codice articolo del costruttore | IRFD310PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFD310PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD310PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 210mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD310PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFD310PBF-FT |
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel