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Vishay Siliconix IRFBE20STRR

Name: IRFBE20STRR
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE20STRR
Availability: InStock
Rating: 4.9 (774 reviews)

Numero parte MFG: IRFBE20STRR

quantità disponibile: 16600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFBE20STRR.pdf

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IRFBE20STRR specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFBE20STRR
Numero di parte futuro	FT-IRFBE20STRR
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IRFBE20STRR Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFBE20STRR Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFBE20STRR-FT

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