casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFB9N60A
codice articolo del costruttore | IRFB9N60A |
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Numero di parte futuro | FT-IRFB9N60A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFB9N60A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB9N60A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFB9N60A-FT |
IRL630PBF
Vishay Siliconix
IRF730APBF
Vishay Siliconix
SUP90P06-09L-E3
Vishay Siliconix
SIHP25N60EFL-GE3
Vishay Siliconix
SIHP8N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRF830BPBF
Vishay Siliconix
SIHP38N60E-GE3
Vishay Siliconix
IRF9610PBF
Vishay Siliconix
IRF820PBF
Vishay Siliconix
IRF840LCPBF
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel